用于卫星通信C波段，达到业内最高功率100W
“卫星通信用C波段100W GaN HEMT”的发售通知
三菱电机株式会社宣布研发出两款用于C波段※1卫星通信地面站※2的GaN HEMT功率放大器：MGFC50G5867 和MGFC47G5867 ，拥有100W和50W的业届最高输出※5功率，样品从2012年1月10日开始提供。
※1 频率4 GHz～8GHz的微波
※2 卫星通信时设置在地面的基站
※3 Gallium Nitride：氮化镓
※4 High Electron Mobility Transistor：高电子迁移率晶体管
※5 截至2011年11月29日，根据本公司调查。在卫星通信地面站用的GaN HEMT
新产品的特点
1．大功率、高效率有助于功率放大器的小型化
・采用耐压性能卓越的GaN，可在40V的高电压下工作
・大功率，输出功率分别达到100W（MGFC50G5867）和50W（MGFC47G5867）
・高效率，功率附加效率※6达到43%以上
※6 供电功率转换为输出功率时的效率。数值越高，效率越佳。
2．低失真特性有助于提高信号质量
・输出功率为40W（46dBm）时IM3※7=－25dBc，实现低失真特性（MGFC50G5867）
※7 Inter Modulation：当2个信号同时输入到放大器时产生的失真现象。数值越低，性能越佳。
销售概要
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产品名 |
型号 |
概要 |
样品出厂日期 |
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输出功率 |
增益 |
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GaN HEMT |
MGFC50G5867 |
50dBm(100W) |
10dB |
2012年
1月10日 |
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MGFC47G5867 |
47dBm(50W) |
10dB |
销售目标
卫星通信基站使用的是采用GaAs（砷化镓）HFET的功率放大器；但因GaAs HFET难以达到大功率，故有时需要多个HFET组合使用，如何实现功率放大器小型化成了一大课题。
本公司之前推出用于卫星功率放大器的C波段GaN HEMT产品，该产品采用功率附加效率卓越的GaN材质，比GaAs具有更高饱和电子速率和更高击穿电压，已从2010年3月开始提供样品。本次推出的2款“GaN 内匹配HEMT”新产品，可用于卫星通信基站的射频功率放大器，输出功率分别为100W、50W，亦将提供样品。这两款产品将有助于推进基站功率放大器的小型化。
主要规格
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型号 |
MGFC50G5867 |
MGFC47G5867 |
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建议工作条件 |
VDS※9 |
40V |
40V |
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IDQ※10 |
1.15A |
0.58A |
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频率 |
5.8GHz～6.7GHz（C波段） |
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3dB增益
压缩点功率 |
P3dB
(标准值) |
100W |
50W |
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线性功率增益 |
Glp※11
(标准值) |
10dB |
10dB |
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功率附加效率 |
PAE※12
(标准值) |
43％ |
45％ |
※9 Drain to Source Voltage：漏极电压
※10 Quiescent Drain Current：静态漏电流
※11 Linear Gain（测试频率 f=6.4GHz）
※12 Power Added Efficiency（测试频率f=6.4GHz 、@P3dB）
